Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications. Very high speed: 45 ns Voltage range: 4.5 V to 5.5 V Pin compatible with CY62148B Ultra low standby power Typical standby current: 1 ??A Maximum standby current: 7 ??A (Industrial) Ultra low active power Typical active current: 2.0 mA at f = 1 MHz Easy memory expansion with CE, and OE features Automatic power-down when deselected Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) for optimum speed and power Available in Pb-free 32-pin thin small outline package (TSOP) II and 32-pin small-outline integrated circuit (SOIC)[1] packages SRAM (Static Random Access Memory)
Löydämme tuotteen järjestelmästämme helposti seuraavalla tuotenumerolla
EAN:
2050009801090
SKU:
CY62148ELL-55SXI
Miksi samalla tuotteella on monta eri tuotesivua tai tuotenumeroa?
Valmistajat usein julkaisevat saman tuotteen monella eri tuotenumerolla. Usein eroa on vain pakkauksessa. Eri tuotepakkaus saattaa olla suunniteltu eri valtioille.
Yritämme parhaamme mukaan laittaa samat tuotteet saman tuotenumeron alle, mutta joskus sama tuote on eri tuotenumeroilla sivullamme.