The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode offers high breakdown voltage of 1350v. High Efficiency Low Switching Losses Increased Reliability Low Electromagnetic Interference
Löydämme tuotteen järjestelmästämme helposti seuraavalla tuotenumerolla
EAN:
2050009800598
SKU:
IHW20N135R5XKSA1
Miksi samalla tuotteella on monta eri tuotesivua tai tuotenumeroa?
Valmistajat usein julkaisevat saman tuotteen monella eri tuotenumerolla. Usein eroa on vain pakkauksessa. Eri tuotepakkaus saattaa olla suunniteltu eri valtioille.
Yritämme parhaamme mukaan laittaa samat tuotteet saman tuotenumeron alle, mutta joskus sama tuote on eri tuotenumeroilla sivullamme.